DDR是什么?DDR2和DDR3又什么区别?

来源:PE吧  作者:小小  发布于:2017-09-30 16:08:30 浏览:93

DDR=DoubleDataRate双倍速率同步动态随机存储器。就是俗称的内存条。随着科技的进步,DDR出现了DDR2,DDR3两代。但是两者是有区别的,DDR2和DDR3的插槽是不一样,DDR3比DDR2频率高,速度快,容量大,性能高。本文小编就带着大家了解一下! 

DDR2,DDR3

  DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4GB这个容量,4GB是32位操作系统的执行上限(不考虑PAE等等的内存映像模式,因这些32位元元延伸模式只是过渡方式,会降低效能,不会在零售市场成为技术主流)当市场需求超过4GB的时候,64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案,此时也就是DDR3内存的普及时期。


一、DDR2与DDR3内存的特性区别:

 

DDR2,DDR3

  1、封装(Packages)

  由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。


2、寻址时序(Timing)

  就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。


3、逻辑Bank数量

  DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。


  4、突发长度(BL,Burst Length)

  由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。


  

二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbuffered DIMM):


1、容量更大

更多的Bank数量,依照JEDEC标准,DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB),但目前许多DRAM厂商的规划,DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量,也就是说届时单条DDR2的DRAM模块,容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳,目前规划单条模块到16GB也没问题(注意:这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言,server用的FB与Registered不在此限)。


  2、速度更快

prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit,核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。


  3、更省电

DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V,同频率下比DDR2更省电,搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能,内部增加温度senser,可依温度动态控制更新率(RASR,Partial Array Self-Refresh功能),达到省电目的。


 以上就是关于DDR2和DDR3两者的区别!有兴趣是我小伙伴就看看吧!


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